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我们已经是国内做得最好的了

时间:2018-12-02 10:02

来源:未知作者:admin点击:

  超分辨光刻设备加工的4英寸光刻样品超分辨光刻设备加工的4英寸光刻样品
 
  在交谈的过程中,他多次强调了这个技术和我们熟悉的半导体集成电路完全无关,无法应用在集成电路领域这个技术对于集成电路的光刻需求的不适用。
 
  国外使用SP光刻技术做的效果,明显好于中科院国外使用SP光刻技术做的效果,明显好于中科院
 
  再者,这一技术并非中国首创,国外有很多实验室也做出了成品验证机,效果还优于中科院,甚至都达不到国际领先的程度。
 
  这个新闻出来了以后,引发了媒体和群众的广泛讨论,在水木社区我们也看到了一个转载自知乎的、自称光电所的人的回复,回复中说到:
 
  我就是光电所的,我们这个设备实现了激光束22纳米(国内肯定是领先的,当然国际上落后),可以做简单的线,点,光栅部件,拿来做刻芯片这种超级复杂的ic制造是完全没有可能的,那个难度是画简单线的十万倍,因为还需要高精度镜头和高精度对准技术,我们这个设备立项本来就不是拿来刻芯片的,有人说我们骗,我们光电所什么时候宣传过这个设备可以刻芯片了?都是外界一些什么都不懂的外行,包括媒体,一厢情愿的以为这个就是芯片厂的光刻机,和我们没有任何关系。饭要一口一口吃,我们已经是国内做得最好的了。
 
  笔者在知乎上找不到相关回答,也没求证过回答者的身份。但假设这个答主真的是光电所的人,这样直接甩锅给媒体的说法,笔者是有点不认同的。
 
关于这个技术,中科院王长涛、赵泽宇、高平、罗云飞和罗先刚在其写于2016年的一篇名为《表面等离子体超衍射光学光刻》的文章中提到:由于光波衍射特性,传统光学光刻面临分辨力衍射极限限制,成为传统光学光刻技术发展的原理性障碍。表面等离子体(surface plasmon,SP)是束缚在金属介质界面上的自由电子密度波,具有突破衍射极限传输、汇聚和成像的独特性能。近年来,通过研究和利用SP超衍射光学特性,科研人员提出和建立了基于SP的纳米干涉光刻、成像光刻、直写光刻等方法,在紫外光源和单次曝光条件下,获得了突破衍射极限的光学光刻分辨力。目前,基于SP成像结构,实验中获得了22 nm(-1/17波长)最高SP成像光刻线宽分辨力水平。SP将为发展高分辨、低成本、高效、大面积纳米光学光刻技术提供重要方法和技术途径。
 
  但这真的是能应用到现在的产线上吗?
 
  在某些媒体的报道中,这个装备的出现,打破了国产光刻机的空白,可以打破XXX公司的垄断,但很遗憾,这是一个误解。行内人士告诉半导体行业观察记者,这个技术和我们熟悉的半导体集成电路完全无关,无法应用在集成电路领域。
 
  他指出,SP光刻的主要缺点就是聚焦的面积非常小,属于接触式光刻,一点点的defect缺陷就会造成成像品质的问题,因为是直写式光刻,所以生产效率很低,只能作为E beam光刻的竞争对手,适用于特殊应用,类似的应用范围是光纤领域,5G天线,或者是他们自己演示的用于科研领域的单光子探测器。这对于实验室科研,军工,有一定的意义,可以一定程度上替代现在的e beam光刻。另一方面,这个技术也具有图形粗糙度糟糕的特点,从他们演示的图形就可以看到LWR粗糙,歪歪斜斜,图像保真度非常低,只能作为技术验证,不能作为真实生产,更不要说量产可能了。
 
  
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